CMF85R290R是采用Cmos先進(jìn)超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，通過(guò)使用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，提供更高的效率。
CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的專(zhuān)有平面條形DMOS技術(shù)，改進(jìn)了dv/dt能力，非常適合用于高效開(kāi)關(guān)電源。
CMF10N80是一款綜合性能優(yōu)秀的N溝道高壓功率MOSFET，采用Cmos先進(jìn)的平面工藝制造，其核心優(yōu)勢(shì)是抗沖擊性高、高頻特性好、不可控造因素成的特性離散性小等優(yōu)勢(shì)，適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變儲(chǔ)能及工業(yè)電磁閥小信號(hào)類(lèi)應(yīng)用等場(chǎng)景。
CMD60R180S6ZD是采用Cmos先進(jìn)的超級(jí)結(jié)工藝開(kāi)發(fā)的一款N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），其特點(diǎn)具有高頻特性好，反向快恢復(fù)時(shí)間短，并且具有HBM>2kV的靜電或浪涌防護(hù)能力等。
CMSA070N10是一款高性能N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用Cmos先進(jìn)的SGT工藝制成，具有高頻特性好，轉(zhuǎn)換效率高的特點(diǎn)。
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